오는 2028년까지 총 20조원 투자… 반도체 R&D 분야 핵심 연구기지 역할

최근 복권된 이재용 부회장이 19일 기흥 반도체 R&D 단지 기공식에 참석했다. /삼성전자
이재용 부회장(좌측서 두번째)이 19일 기흥 반도체 R&D 단지 기공식에 참석했다. /삼성전자

시사위크=김필주 기자  8‧15 광복절 특사로 복권된 이재용 삼성전자 부회장이 19일 경기도 용인 소재 삼성전자 기흥 반도체사업장 연구개발(R&D) 단지 기공식에 참석하면서 첫 경영 행보에 나섰다. 

이날 기공식에 참석한 이재용 부회장은 “40년 전 반도체 공장을 짓기 위해 첫 삽을 뜬 기흥사업장에서 새로운 도전을 시작한다”며 “기술 중시 및 선행 투자의 전통을 이어가 세상에 없는 기술로 미래를 만들어 가자”고 다짐했다.
 
기공식에는 이재용 부회장을 포함해 경계현 DS부문장, 정은승 DS부문 CTO(최고기술책임자), 진교영 삼성종합기술원장, 이정배 메모리사업부장, 최시영 파운드리사업부장, 박용인 시스템LSI사업부장 등 임직원 100여명이 참여했다.

이재용 부회장이 참석한 자리에서 삼성전자는 ‘세상에 없는 기술로 미래를 만든다’는 슬로건을 내걸고 기술 리더십으로 혁신을 주도해 반도체 사업에서 재도약하겠다고 선언했다.

삼성전자는 이를 위해 오는 2028년까지 기흥 반도체 R&D 단지에 20조원을 투자할 방침이다.

기흥 반도체 R&D 단지는 약 10만9,000㎡(3만3,000여평) 규모로 건설되며 2025년 중순 가동 예정이다.

삼성전자에 따르면 기흥 반도체 R&D 단지는 메모리, 팹리스, 시스템반도체, 파운드리 등 반도체 R&D 분야의 핵심 연구기지 역할을 맡게 된다.

삼성전자는 기흥 반도체 R&D 단지 건설을 통해 국내외 소재‧장비‧부품(소부장) 분야 협력회사들과의 R&D 협력을 더욱 강화할 계획이다.

경계현 DS부문장은 이재용 부회장에게 반도체 기술 경쟁력 확보 전략을 보고하며 “우수 연구개발 인력들이 스스로 모이고 성장할 수 있는 다양한 교육 기회를 부여해 조직의 성장으로 이어지는 선순환 구조를 만들겠다”고 강조했다.

기흥 반도체 R&D 단지 기공식 마친 이재용 부회장은 화성캠퍼스로 이동해 임직원들과의 간담회 및 DS부문 사장단 회의를 가졌다.

이 자리에서 이재용 부회장은 직원들로부터 건의사항과 다양한 조직문화 개선 방안 등을 경청한 뒤 의견을 교환한 것으로 전해졌다.

이어 화성캠퍼스 내 반도체연구소에서 열린 DS부문 사장단 회의에서 이재용 부회장은 ‘칩4 동맹’ 등 글로벌 반도체 산업과 관련된 주요 현안과 리스크 요인, 차세대 반도체 기술 연구개발 진척 현황, 초격차 달성을 위한 기술력 확보 방안 등을 논의했다.

한편 기흥 캠퍼스는 1983년 삼성의 반도체 사업이 태동한 곳으로, 1992년 세계 최초 64메가 D램을 개발했다. 이어 1992년과 1993년 D램 시장 및 메모리반도체 분야에서 각각 1위를 달성하는 등 ‘반도체 초격차’의 성과를 이뤄내기도 했다. 

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