시사위크=박설민 기자  SK하이닉스가 3분기 적자 폭을 대폭 줄이는데 성공했다. 고대역폭메모리(HBM)와 DDR5 등 고부가 제품군의 판매 호조, 메모리 양산 절감 등에 따른 D램 메모리 반도체 사업부 흑자 전환에 따른 것으로 풀이된다.

SK하이닉스는 26일 실적발표회를 열고, 올해 3분기 연결기준 매출 9조662억원, 영업손실 1조7,920억원을 기록했다고 밝혔다. 매출은 전년 대비 17.5% 감소했고, 영업이익은 적자전환됐다. 지난해부터 얼어붙기 시작한 메모리 반도체 시장의 여파가 실적에도 반영된 것이다.

다만 전 분기 대비해선 실적 개선 흐름이 뚜렷하게 나타났다. SK하이닉스의 2분기 매출은 7조3,059억원으로, 3분기엔 이에 비해 24.1% 늘었다. 영업손실률도 2분기 39%에서 20%로 줄었다. 3분기 순손실은 2조1,847억원으로 순손실률은 24%이다.

이 같은 실적 개선 배경엔 D램 사업부 호실적이 뒷받침됐다. SK하이닉스에 따르면 1분기 적자를 기록했던 D램 부문은 2개 분기만에 다시 흑자 전환에 성공했다. AI용 메모리인 HBM3, 고용량 DDR5와 함께 고성능 모바일 D램 등 주력제품들의 판매가 호조를 보이면서다.

SK하이닉스는  “고성능 메모리 제품을 중심으로 시장 수요가 증가하면서 회사 경영실적은 지난 1분기를 저점으로 지속적으로 개선되고 있다”며 “전분기 대비 매출은 24% 증가하고 영업손실은 38% 감소했다”고 설명했다.

매출 증가 추세에 대해 SK하이닉스는 D램과 낸드 모두 판매량이 늘어난 것은 물론, D램 평균판매가격(ASP) 상승이 큰 영향을 미쳤다고 분석했다. 제품별로 보면, D램은 AI 등 고성능 서버용 제품 판매 호조에 힘입어 2분기 대비 출하량이 약 20% 늘었다. ASP도 약 10% 상승했다. 낸드도 고용량 모바일 제품과 SSD 중심으로 출하량이 늘었다.

이런 흐름에 맞춰 SK하이닉스는 HBM과 DDR5, LPDDR5 등 고부가 주력제품에 대한 투자를 늘리기로 했다. 회사는 D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편, HBM과 TSV에 대한 투자를 확대한다는 계획이다. 여기서 TSV는 D램 칩에 수천개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 공정기술이다.

SK하이닉스 관계자는 “흑자로 돌아선 D램은 생성형 AI 붐과 함께 시황이 지속해서 호전될 전망”이라며 “적자가 이어지고 있는 낸드도 시황이 나아지는 조짐이 서서히 나타나고 있어 회사는 전사 경영실적의 개선 추세를 이어가기 위해 만전을 기하겠다”고 설명했다.

김우현 SK하이닉스 부사장은 “고성능 메모리 시장을 선도하면서 미래 AI 인프라의 핵심이 될 회사로 탄탄하게 자리매김하고 있다”며 “앞으로 HBM, DDR5 등 당사가 글로벌 수위를 점한 제품들을 통해 기존과는 다른 새로운 시장을 창출해내겠다”고 밝혔다.